一种制备高纯纳米硅的方法[发明专利]

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专利名称：一种制备高纯纳米硅的方法专利类型：发明专利

发明人：李能,皮涛,王志勇,黄越华,邵浩明,陈松,彭杨城,李钰,

余梦泽

申请号：CN201910917286.2申请日：20190926公开号：CN110697719A公开日：20200117

摘要：本发明涉及一种制备高纯纳米硅的方法，包括以下步骤：将有机硅进行溶胶凝胶法制备纳米二氧化硅，通过金属氢化物将纳米二氧化硅还原成纳米一氧化硅，通过一氧化硅在高温下歧化反应生成纳米硅和纳米二氧化硅，通过氢氟酸处理去除多余纳米二氧化硅。本发明工艺简单，成本低，所得纳米硅纯度高，纳米硅尺寸小。

申请人：湖南中科星城石墨有限公司

地址：410600 湖南沙市宁乡县金洲新区泉洲北路(金洲镇龙桥村)

国籍：CN

代理机构：长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：匡治兵

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