专利名称：一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长
方法
专利类型：发明专利
发明人：李国强,邢志恒,吴能滔,李善杰,孙佩椰,姚书南,王文
樑
申请号：CN202011637782.1申请日：20201231公开号：CN112687527A公开日：20210420
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InAlN缓冲层或InAlN/InAlN缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。
申请人：华南理工大学
地址：5100 广东省广州市天河区五山路381号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：陈智英
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