专利名称:一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长
方法
专利类型:发明专利
发明人:李国强,邢志恒,吴能滔,李善杰,孙佩椰,姚书南,王文
樑
申请号:CN202011637782.1申请日:20201231公开号:CN112687527A公开日:20210420
摘要:本发明属于半导体的技术领域,公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜;所述缓冲层为InAlN缓冲层或InAlN/InAlN缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题,有效控制外延片应力,对器件整体性能和良品率提升作用明显;利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。
申请人:华南理工大学
地址:5100 广东省广州市天河区五山路381号
国籍:CN
代理机构:广州市华学知识产权代理有限公司
代理人:陈智英
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- yrrf.cn 版权所有 赣ICP备2024042794号-2
违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务