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一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法[发明专利]

来源:意榕旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长

方法

专利类型:发明专利

发明人:李国强,邢志恒,吴能滔,李善杰,孙佩椰,姚书南,王文

申请号:CN202011637782.1申请日:20201231公开号:CN112687527A公开日:20210420

摘要:本发明属于半导体的技术领域,公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜;所述缓冲层为InAlN缓冲层或InAlN/InAlN缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题,有效控制外延片应力,对器件整体性能和良品率提升作用明显;利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。

申请人:华南理工大学

地址:5100 广东省广州市天河区五山路381号

国籍:CN

代理机构:广州市华学知识产权代理有限公司

代理人:陈智英

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