专利名称：光栅的制备方法专利类型：发明专利
发明人：朱振东,李群庆,张立辉,陈墨,范守善申请号：CN201110333556.9申请日：20111028公开号：CN103086607A公开日：20130508
摘要：本发明提供一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面形成一图形化的掩模层；将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中，通入刻蚀气体对基底进行刻蚀，刻蚀过程分为三个阶段：第一刻蚀阶段，刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气，四氟化碳和氩气同时通入；第二刻蚀阶段，刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入，六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量；第三刻蚀阶段，继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气，其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量；以及去除掩模层，得到一光栅。本发明制备得到高密度、高深宽比的亚波长衍射光栅。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
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