专利名称：一种应用大马士革工艺的mini/micro LED芯片及
其制作方法
专利类型：发明专利
发明人：李俊承,赵敏博,谈凯强,刘苏杰,王克来,白继锋,熊珊,
潘彬,王向武
申请号：CN202111575134.2申请日：20211222公开号：CN113948618B公开日：20220422
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种应用大马士革工艺的mini/microLED芯片及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：沉积第一钝化层、抛光、沉积SiNx腐蚀阻挡层、沉积第二钝化层、蚀刻焊线电极图形、焊盘电极制作、抛光表面电极、蓝宝石减薄、最后抛光、隐形切割、劈裂，完成芯片制作。本发明采用大马士革方法制作mini/microLED的焊盘锡电极，无需进行金属层的蚀刻，可制作厚电极，图形精度高，同时可避免使用负胶剥离或在封装端刷锡膏，提高工艺的稳定性；采用磁控溅射种子层和电镀相结合的方式，可避免使用金属蒸镀机，不存在污染蒸镀机与维护的问题，制作成本低。
申请人：南昌凯捷半导体科技有限公司
地址：330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
国籍：CN
代理机构：南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人：石英
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容