聚偏氟乙烯高介电膜[实用新型专利]

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专利名称：聚偏氟乙烯高介电膜专利类型：实用新型专利发明人：翁凌,李红霞,马成国申请号：CN201520030683.5申请日：20150116公开号：CN204303756U公开日：20150429

摘要：涉及一种聚偏氟乙烯高介电膜。对于聚偏氟乙烯是聚合物，介电常数有限满足不了现在高存储器件的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中来改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，聚合物的介电性能提升不多但是力学性能显著下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（2），所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本实用新型应用于聚偏氟乙烯高介电膜。

申请人：哈尔滨理工大学

地址：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

国籍：CN

代理机构：哈尔滨东方专利事务所

代理人：陈晓光

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