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电感耦合的等离子体源及包括其的半导体处理腔室

来源:意榕旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201721183719.9 (22)申请日 2017.09.15 (71)申请人 应用材料公司

地址 美国加利福尼亚州

(10)申请公布号 CN207705142U

(43)申请公布日 2018.08.07

(72)发明人 D·卢博米尔斯基

(74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公司

代理人 李炜

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

电感耦合的等离子体源及包括其的半导体处理腔室

(57)摘要

本申请公开了具有流通源的腔室。所描述

的处理腔室可以包括腔室外壳,腔室外壳至少部分地限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可以包括定位在腔室外壳内的喷头,并且喷头可至少部分地将内部区域划分为远程区域和处理区域,在处理区域能包含基板。腔室也可包括定位在喷头与处理区域之间的电感耦合的等离子体源。电感耦合的等离子体源可以包括在电介质材料内的导电材料。

法律状态

法律状态公告日

2018-08-07

授权

法律状态信息

授权

法律状态

权利要求说明书

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说明书

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