（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201910588240.0 （22）申请日 2019.07.02
（71）申请人 深圳第三代半导体研究院
地址 518051 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
（10）申请公布号 CN110379857A
（43）申请公布日 2019.10.25
（72）发明人 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 （74）专利代理机构 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 李明
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法
（57）摘要
本发明公开了一种包含p型氧化镓薄层的
开关器件及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备方法领域，器件包括：衬底、n型氮化镓沟道层、位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层，源电极、漏电极和栅电极，其中所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×10
法律状态
法律状态公告日
2019-10-25 2019-10-25 2019-11-19
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
权利要求说明书
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说明书
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