一种硅片的清洗方法[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种硅片的清洗方法专利类型：发明专利

发明人：侯玥玥,黄纪德,金井升,张昕宇,金浩申请号：CN201711349496.3申请日：20171215公开号：CN108039315A公开日：20180515

摘要：本发明实施例公开了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；将硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对氧化膜进行去除，氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1‑10:1，包括端点值；预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃‑80℃，包括端点值；将硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对硅片表面的金属离子进行去除；将硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。该方法可在去除硅片表面沾污的杂质的基础上达到节省氢氟酸的目的。

申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司

地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：王宝筠

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文