专利名称：一种选择性发射极电池的制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵小平,杨二存,夏利鹏,李吉,刘海泉,高丽丽,郭星妙申请号：CN201911382032.1申请日：20191227公开号：CN111180530A公开日：20200519
摘要：本发明提供了一种选择性发射极电池的制备方法,包括掺杂源扩散形成PN结和激光掺杂制作选择性发射极的步骤，其特征在于，所述激光掺杂制作选择性发射极的步骤中通过改变照射在硅片上欲金属化的区域激光的能量和光斑大小，使区域内所掺杂的元素富集，形成选择性发射极。本发明选择性发射极电池的制备方法,通过调整激光的能量和光斑大小，减小激光对电池片的损伤面积，实现SE在栅线接触区域和非接触区域实现不同的掺杂区，同时提升电池效率。
申请人：天津爱旭太阳能科技有限公司
地址：300400 天津市北辰区经济技术开发区科技园高新大道与景通路交口
国籍：CN
代理机构：广州知友专利商标代理有限公司
代理人：高文龙
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