互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示器件[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示

器件

专利类型：发明专利

发明人：朴志容,具在本,朴惠香申请号：CN200410004153.X申请日：20040213公开号：CN15743A公开日：20050202

摘要：一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约－30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。

申请人：三星SDI株式会社

地址：韩国京畿道

国籍：KR

代理机构：北京市柳沈律师事务所

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文