微电子实验报告2

集成电路设计（版图部分）

实验报告

学生姓名： 周 嫄 学 号： 2011029170009 指导教师： 曾 洁 实验地点： 科B453

2014年 5 月 10 日

电子科技大学

实验：使用L-Edit编辑单元电路布局图

一、实验学时：4学时 二、实验目的

1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境； 2、掌握L-Edit的使用技巧；

三、实验内容：利用

转化为T-Spice 文件。

L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图

四、实验结果：

1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（ morbn20.tdb ）文件的。 其设计规则主要有： Rule Type Rule Layers Rule Rule（设计规则） （规则类型） （对应层） Distance 1.1 Well Minimum Width 1.3 Well to Well(Same Potential) Spacing 2.1 Active Minimum Width 2.2 Active to Active Spacing 2.3a Source/Drain Active to Well Edge 2.3b Source/Drain Active to Well Space 2.4a WellContact(Active) to Well Edge 2.4b SubsContact(Active) to Well Spacing 3.1 Poly Minimum Width 3.2 Poly to Poly Spacing 3.3 Gate Extension out of Active 3.4a/4.1a Source/Drain Width 3.4b/4.1b Source/Drain Width 3.5 Poly to Active Spacing 4.2a/2.5 Active to N-Select Edge 4.2b/2.5 Active to P-Select Edge 4.3a Select Edge to ActCnt 4.3b Select Edge to ActCnt 4.3c Not Exists: ActCnt not on Active Minimum Width Spaceing Minimum Width Spaceing Surround Spaceing Surround Spaceing Minimum Width Spaceing Extension Extension Extension Spacing Surround Surround Surround Surround Not esist N well N well Active Active Pdiff N well ndiff N well n Active N well P Active N well Poly Poly Active Poly 10 lambda 6 lambda 3 lambda 3 lambda 5 lambda 5 lambda 3 lambda 3 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda Poly Orpoly n 3 lambda Active Poly Orpoly p 3 lambda Active Poly Active 1 lambda Active not in 2 lambda NPN N Select Active not in 2 lambda NPN P Select Active Contact 1 lambda ndiff Active Contact 1 lambda pdiff ActCnt-not-on-0 lambda act 4.4a NSelect Minimum Width 4.4b PSelect Minimum Width 4.4c Select to Select Spacing 4.4d Select to Select Spacing 4.5 Not Existing: pSel Overlap of nSel 4.6 Not Existing: Not Selected Active 5.1A Poly Contact Exact Size 5.2A/5.6B FieldPoly Overlap of PolyCnt 5.2b Not Exists: PolyCnt not on Poly 5.3A PolyContact to PolyContact Spacing 6.1A Active Contact Exact Size 6.2A FieldActive Overlap of ActCnt 6.3A ActCnt to ActCnt Spacing 6.4A Active Contact to Gate Spacing 7.1 Metal1 Minimum Width 7.2 Metal1 to Metal1 Spacing 7.3 Metal1 Overlap of PolyContact 7.4 Metal1 Overlap of ActiveContact 8.1 Via Exact Size 8.2 Via to Via Spacing 8.3 Metal1 Overlap of Via 8.4a Via to PolyContact spacing 8.5b. Via to ActiveContact Spacing 8.5a Via to Poly Spacing 8.5b Via(On Poly) to Poly Edge 8.5c Via to Active Spacing 8.5d Via (On Active) to Active Edge Minimum Width Minimum Width Spacing Spacing Not exist Not exist Exact wid Surround Not exist Not exist Exact wid Surround Spacing Spacing Minimum Width Spacing Surround Surround Exact wid Spacing Surround spacing Spacing Spacing Surround Spacing Surround N Select P Select N Select P Select pSelect&nSelect 2 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda 0 lambda Not selected 2 lambda Active Poly Contact 2 lambda Poly Contact 1.5 Field poly lambda PolyCnt-not-on-Poly Poly Contact Active Contact 0 lambda 2 lambda 2 lambda Active Contact 1.5 field active lambda Active Contact 2 lambda Active Contact 2 lambda gatel Metall Metall 3 lambda 3 lambda Poly Contact 1 lambda Metall Active Contact 1 lambda Metall ViaNotOnPad ViaNotOnPad ViaNotOnPad Metall ViaNotOnPad poly contact ViaNotOnPad Active Contact ViaNotOnPad Poly ViaNotOnPadPoly ViaNotOnPad Active ViaNotOnPad Acitive 2 lambda 3 lambda 1 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda 2 lambda 9.1 Metal2 Minimum Width 9.2 Metal2 to Metal2 Spacing 9.3 Metal2 Overlap of Via1 Minimum Width Spacing surround Metall2 Metall2 Via Metall2 3 lambda 4 lambda 1 lambda 2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。

先确定W。W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位4，则先加10后再乘以2。所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 18u ）的PMOS管掩膜版图。

所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：

该PMOS管的截面图为：

3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。

所完成的DRC检查无错误的NMOS版图为：

该NMOS管的截面图为：

4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv的版图。加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。所完成的DRC检查无错误的版图为：

5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为：

五、实验总结与体会：

1.通过本次实验，能够把理论与实际结合起来，利用软件将课本所用到实际的版图设计中，加深了对知识的理解与巩固；

2.当第一次接触一个新软件时，应该怎样学习使用它，这是在实验中应该学习的技能； 3.版图设计时需要考虑的因素有哪些，以及他们的相关性和重要程度对结果的影响。