一种检测存储单元漏电流的方法及系统[发明专利]

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专利名称：一种检测存储单元漏电流的方法及系统专利类型：发明专利

发明人：龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋申请号：CN2011103918.X申请日：20111130公开号：CN102426858A公开日：20120425

摘要：一种检测存储单元漏电流的方法，应用于至少包括依次相邻的且位于存储列阵同一列的第一、二、第三存储单元，上述存储单元共用同一组字线；包括：同时选通上述存储单元之间的位线以及第一存储单元的源极对应的位线；测试电路测量得到第二电压值；通过仿真获得所述第一、第二存储单元的沟道电阻；通过仿真获得读取位线的电平对应的第一电压值；通过第一电压值与第二电压值的电压差以及第二存储单元的沟道电阻计算得到流经所述第二存储单元的漏电流即第一存储单元被读取时的漏电流。本发明提供一种检测存储单元漏电流的方法和系统，可以实现存储单元漏电流的有效检测。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

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