专利名称：一种单层单晶方形石墨烯的制备方法专利类型：发明专利
发明人：温勇,黄蓉,黄志高,赖发春申请号：CN201910283735.2申请日：20190410公开号：CN109957836A公开日：20190702
摘要：本发明涉及一种单层单晶石墨烯的制备方法。具体为：用剪刀将铜箔剪切成合适大小，将其放入稀盐酸中进行超声清洗，然后转移至丙酮溶液中超声清洗，清洗结束后用氮气吹干待用；将铜箔放入管式炉石英管内，通入Ar，在氩气气氛下升温至1000～1060℃进行退火处理；对管式炉抽真空至10 Pa，调节化学气相沉积系统使系统压强稳定在0.54 KPa，在该压强下生长10 min；快速降温，并通入300～350 sccm Ar和4 sccm H，待降至室温即生长出单层单晶方形石墨烯。该方法制备过程简单可控，为进一步理解石墨烯生长机制、实现石墨烯的大规模生产具有重要的指导作用。
申请人：福建师范大学
地址：350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城福建师范大学科技处
国籍：CN
代理机构：福州君诚知识产权代理有限公司
代理人：戴雨君
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