专利名称：具有局部有效电感等离子体耦合的等离子体处理系
统
专利类型：发明专利
发明人：乔则夫·布卡,罗德尼·李·罗宾森申请号：CN200480031575.4申请日：20041026公开号：CN1871685A公开日：20061129
摘要：一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：王怡
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