具有气隙结构的半导体器件及其制造方法[发明专利]

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专利名称：具有气隙结构的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：丁致远,谢志宏申请号：CN201410371298.7申请日：20140731公开号：CN105097663A公开日：20151125

摘要：本发明提供了一种方法，包括在衬底上的介电层中形成导电部件。在衬底上形成第一硬掩模层和下面的第二硬掩模层。第二硬掩模层对等离子体蚀刻工艺的蚀刻选择性高于第一硬掩模层对等离子体蚀刻工艺的蚀刻选择性。第二硬掩模层可以在形成掩蔽元件期间保护介电层。该方法还包括：实施等离子体蚀刻工艺，以在介电层中形成沟槽，该蚀刻工艺还可以去除第一硬掩模层。然后，在沟槽的上方形成盖顶，以形成邻近导电部件的气隙结构。本发明还提供了一种形成半导体器件的方法。

申请人：积体电路制造股份有限公司

地址：中国新竹

国籍：CN

代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司

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