专利名称：一种基于非均匀分布界面陷阱的NBTI退化模型获
取方法
专利类型：发明专利
发明人：李小进,曾严,孙亚宾,石艳玲,胡少坚,郭奥,田明,廖端
泉,王昌锋
申请号：CN201710266163.8申请日：20170421公开号：CN107220477A公开日：20170929
摘要：本发明公开了一种基于非均匀分布界面陷阱的NBTI退化模型获取方法，方法包括：步骤一：划分MOS器件不同区域内的界面陷阱分布，得到界面陷阱的总分布框架；步骤二：根据几何结构分别计算每个区域内的界面陷阱分布密度，得到非均匀分布的界面陷阱总密度；步骤三：根据ΔN总密度得到NBTI引起的阈值电压偏移，获得基于几何结构分析的NBTI退化模型。本发明提出的模型纳入了NBTI效应产生的界面陷阱的实际分布情况，从而能精准地计算MOS器件中产生的界面陷阱电荷总密度，进而得到阈值电压的退化模型，所需拟合参数少，适用性广泛，该模型对于器件可靠性提供了更准确的预测。
申请人：华东师范大学,上海集成电路研发中心公司
地址：200062 上海市普陀区中山北路3663号
国籍：CN
代理机构：上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)
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