专利名称：P型掺镓晶体硅及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：张帅,朱常任,郭晓琛,王双丽申请号：CN201510295978.X申请日：20150602公开号：CN104846435A公开日：20150819
摘要：本发明涉及一种P型掺镓晶体硅的制备方法，包括以下步骤：向坩埚内投入含有镓掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有一圈N型掺杂补偿剂涂层，所述N型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有镓掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有镓掺杂剂的硅液生成P型掺镓晶体硅。上述P型掺镓晶体硅的制备方法可在晶体生长方向上进行掺杂补偿，从而解决了P型掺镓晶体硅在晶体生成方向上电阻率分布范围过大的问题，精准控制整个P型掺镓晶体硅的电阻率。另外，还提供了一种由上述方法制得的P型掺镓晶体硅。
申请人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
地址：221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：唐清凯
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