全控型电力电子器件

全控型电力电子器件

名称 特点 产生时间 19年，美国第一次试制主要公司 INTERNATIONAL RECTIFIER 门极可关断晶是晶闸管（Thyristor）的一闸管（GTO） 种派生器件，但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，成功了因而属于全控型器件；它和500V/10A的普通晶闸管一样，也是GTO PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。 GTO优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电力双极型晶GTR优点：耐压高，电流体管（GTR） 大，开关特性好，通流能产生于本世纪70年代 力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率电路复杂，存在二次击穿问题 20世纪80年三菱电机 电力场效应晶通常主要指绝缘栅型中体管（Power 的MOS型（Metal Oxide 代以来 SEMELAB MOSFET） STMICROELECTRONICS Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。 特点——用栅极电压来控制漏极电流 输入阻抗高 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 绝缘栅双极型IGBT优点：开关速度高，晶体管开关损耗小，具有耐脉冲电产于1983年 美国GE公司和RCA公司 日本东芝公司和三菱公司 INTERNATIONAL RECTIFIER （IGBT） 流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO