一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用[发明专利]

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专利名称：一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用专利类型：发明专利

发明人：翟继卫,吴卫华,陈施谕申请号：CN201710029756.2申请日：20170116公开号：CN106816528A公开日：20170609

摘要：本发明涉及一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜为GeTe相变材料和GeSb相变材料呈周期溅射得到的膜层，制备时，清洗SiO/Si(100)基片；安装好溅射靶材，先后开启机械泵和分子泵抽真空；设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率；采用室温磁控溅射方法制备[GeTe(a)/GeSb(b)]纳米复合多层相变薄膜。与现有技术相比，本发明具有热稳定性好、相变速度快、存储密度高等优点。

申请人：同济大学

地址：200092 上海市杨浦区四平路1239号

国籍：CN

代理机构：上海科盛知识产权代理有限公司

代理人：陈亮

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