专利名称：REDUCTION OF NEGATIVE BIAS
TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROWWIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION
发明人：LIN, Chuan申请号：EP03734669.9申请日：20030114公开号：EP1470582B1公开日：20100616
摘要：Array
申请人：INFINEON TECHNOLOGIES AG
地址：DE
国籍：DE
代理机构：Barth, Stephan Manuel
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