专利名称：氮化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：长谷川義晃,横川俊哉,山田笃志,松田佳昭申请号：CN200680049460.7申请日：20061220公开号：CN101346857A公开日：20090114
摘要：本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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