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用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备

方法

专利类型：发明专利

发明人：袁根如,郝茂盛,李士涛,张楠,朱广敏,陈诚,邢志刚,陈

耀,汪洋,李睿,彭昀鹏

申请号：CN201110401457.X申请日：20111206公开号：CN102437258A公开日：20120502

摘要：本发明提供一种用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法，通过对蓝宝石衬底进行第一次刻蚀，以在其表面形成周期排列的凸起微结构及间隙平台，然后基于蓝宝石各晶向具有不同的物理和化学性质特点，用氟基离子对上述图形衬底做表面处理，将处于氟基离子中凸起微结构的表面腐蚀出粗糙面，而凸起微结构之间的间隙平台则不受影响，被经过表面处理后的图形衬底在长外延的时候，凸起微结构表面由于被腐蚀成粗糙面，外延生长的时候由于没有生长平台将不成核，而凸起微结构之间由于有较大的平台，促成在凸起微结构之间的空隙上垂直方向成核，通过这样生长出的外延层，晶体缺陷明显减少，提高了晶体质量，从而达到提高芯片亮度的目的。

申请人：上海蓝光科技有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：李仪萍

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