专利名称：CMOS图像传感器专利类型：发明专利发明人：金凡植
申请号：CN200510132948.3申请日：20051229公开号：CN1809128A公开日：20060726
摘要：一种CMOS图像传感器包括能够执行光感测和有源放大的光电晶体管。所述光电晶体管被安装以在维持现有像素操作的同时改进低照明特性。所述CMOS图像传感器还包括：重置晶体管，其连接到所述光电晶体管并且适于执行重置功能；驱动晶体管，用于响应于来自光电晶体管的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；以及开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管并且适于执行寻址功能。
申请人：东部亚南半导体株式会社
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：徐谦
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