专利名称：一种半导体大功率器件封装设备的制造方法专利类型：发明专利发明人：黄澄珵,黄新生申请号：CN202110218359.6申请日：20210226公开号：CN112768368A公开日：20210507
摘要：本发明一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，通过用照相机从覆盖孔的开口的覆盖带上拍摄图像，来对容纳在载带的压纹孔(第一孔)中的半导体器件的外观进行检查，在这种情况下，由于可以防止从孔的开口入射到半导体装置中的光的反射光直接入射到照相机上，因此将外观上有不良部位的半导体装置判定为不良品，可以预防。
申请人：艾极倍特(上海)半导体设备有限公司
地址：201400 上海市奉贤区南桥镇八字桥路1919号2幢8层
国籍：CN
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