专利名称：一种黄绿光发光二极管专利类型：发明专利
发明人：刘超,高鹏,王凌飞,高文浩,刘晓峰,张军召,吴超瑜申请号：CN201711247866.2申请日：20171201公开号：CN108110101A公开日：20180601
摘要：本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
申请人：天津三安光电有限公司
地址：300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
国籍：CN
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