专利名称：一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法专利类型：发明专利
发明人：汪宁,苏永波,丁芃,王大海,金智申请号：CN202010046320.6申请日：20200116公开号：CN111180314A公开日：20200519
摘要：本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜晶形造成的机械损伤，进而可大幅度提高生产良率。并且，通过有效的减薄工艺，其厚度均匀性得到了大大的改善，结合抛光工艺优化了氧化镓衬底的表面粗糙度，使得金属掩膜的粘附性和形貌大大改善，提高了刻蚀的效果，进而使得散热金属层的可靠性得到显著提高。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：纪志超
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