隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201610825825.6 （22）申请日 2016.09.14

（71）申请人 中国科学院半导体研究所;北京半导体照明科技促进中心

地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

（10）申请公布号 CN106328778B

（43）申请公布日 2019.03.08

书

（72）发明人 郭亚楠;曹峻松;谢海忠;张韵;王军喜;李晋闽 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 汤保平

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法

（57）摘要

一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED

芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激

光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。

法律状态

法律状态公告日

2017-01-11 2017-01-11 2017-02-08 2017-02-08 2019-03-08

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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公开 公开

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权利要求说明书

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说明书

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