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基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法和电路[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法和

电路

专利类型：发明专利

发明人：史治国,金梦珺,陈积明,洪少华申请号：CN201010275767.7申请日：20100907公开号：CN1019630A公开日：20110202

摘要：本发明公开了一种基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法和电路。使用CMOS反相器对构成的负阻电路替代蔡氏电路中基于运算放大器的负阻电路，产生混沌振荡。CMOS反相器电路采用芯片CD4069或由两个PMOS管和两个NMOS管组成。该电路继承了传统蔡氏电路的特性，产生混沌振荡信号。使用CMOS反相器对，即两个反接的反相器作为振荡器的负阻子电路，可以克服传统蔡氏电路工作频率较低的缺点，工作于较高的频率，所以可以产生高速的混沌振荡，工作频率达到/MHz。该电路既可以使用分立器件进行设计与实现，也可以使用标准的CMOS工艺进行高速混沌振荡器的芯片设计与实现，有利于小成本大批量混沌信号源的制造和生产。

申请人：浙江大学

地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

国籍：CN

代理机构：杭州求是专利事务所有限公司

代理人：林怀禹

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