半导体器件制造方法[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体器件制造方法专利类型：发明专利发明人：殷华湘,朱慧珑申请号：CN201210490480.5申请日：20121125公开号：CN103839820A公开日：20140604

摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层，其中假栅极层在鳍片上方具有突起；在假栅极层上形成盖层；选择性刻蚀，去除假栅极层的突起；去除盖层。依照本发明的半导体器件制造方法，沉积假栅极层之后增添了盖层，通过选择性刻蚀来平坦化假栅极层，有效提高了假栅极的平坦性以及栅极线条的均匀性和重复性，最终有效提高了器件的性能和可靠性。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3#

国籍：CN

代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：陈红

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文