专利名称：半导体晶片的覆晶凸块制造方法专利类型：发明专利发明人：萧永宏
申请号：CN03100660.4申请日：20030117公开号：CN1518065A公开日：20040804
摘要：一种半导体晶片的覆晶凸块制造方法。为提供一种保护晶片、防止污染损毁晶片、降低成本的半导体晶片上部件制造方法，提出本发明，它包括首先提供设有复数个晶片的晶圆，每一晶片中央部位形成线路布植区及形成于线路布植区周边的焊垫；提供保护层，并将保护层覆盖于每一晶片的线路布植区；于每一晶片的复数个焊垫上形成凸块；去除每一晶片上保护层。
申请人：胜开科技股份有限公司
地址：台湾省新竹县
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：刘领弟
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