专利名称：一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法专利类型：发明专利
发明人：戴小林,吴志强,周旗钢,张果虎,王学锋申请号：CN200610113979.9申请日：20061023公开号：CN101168848A公开日：20080430
摘要：一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法，它包括以下几个步骤：获得热屏倒影的数据；对数据进行处理，得到D；与D进行比较D－D差值输入模－数转换器，换算成控制埚升电机升速的电信号，提高或降低埚升电机的速度；反馈电路将升速的增量进行积分，并得到实际的D值；计算机计算D－D差值，如果它为0，则保持埚升电机的上长速度与晶升速度的比例不变；否则，则增加或降低这个比例(根据D－D差值的正负)。该方法操作方便，精度高，使用该方法可以控制直拉硅单晶体内的缺陷的种类以及在晶体内的分布。
申请人：北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司
地址：100088 北京市新街口外大街2号
国籍：CN
代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人：郭佩兰
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