专利名称：一种聚合物基高储能密度材料及其制备方法专利类型：发明专利发明人：南策文,杨程,林元华申请号：CN200810116165.X申请日：20080704公开号：CN101323692A公开日：20081217
摘要：本发明公开了属于介电材料及储能材料制备技术领域的一种聚合物基高储能密度材料及其制备方法，所述聚合物基高储能密度材料由通过化学方法用有机物改性的碳纳米管材料和聚合物基体材料按3～10wt％的比例组成，具有和基体的相容性好，降低材料漏电流密度和介电损耗，提高材料介电常数和击穿场强的效果。所述的基体材料为聚苯乙烯，用乙酸乙酯溶解后，和改性碳纳米管溶液共混，再溶液浇注成膜，再热压成型，冷压定型。发明材料具有绝缘性好、密度低、柔韧性佳、低成本及易加工的特点，可应用于信息技术电子器件、介电工程和静电能存储及电容器介电材料。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市100084-82信箱
国籍：CN
代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：史双元
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