专利名称：一种硅片晶圆划片后检测工艺专利类型：发明专利发明人：徐志华,葛建秋,陈玲申请号：CN201811218209.X申请日：20181019公开号：CN111081575A公开日：20200428
摘要：本发明具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺，包括以下步骤：步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角,裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，提高了产品质量，降低企业的生产成本。
申请人：江阴苏阳电子股份有限公司
地址：214400 江苏省无锡市江阴市华士镇向阳村向阳路1号
国籍：CN
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