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电容式传感器的设计要点

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 电容式传感器的设计要点

4.2.1 电容式传感器的特点 1 优势

1)温度稳固性好

电容传感器的电容值,对电极而言,与电极的材料无关,仅取决于电极的尺寸;对介质而言,若是采纳空气介质,其介质的能量损耗很小。因此,电容自身的发烧极小。选取基板材料时,只需要从基板强度、温度系数和结构尺寸上考虑,而其它因素对电容值阻碍很小。

而电阻式传感器有电阻元件,故供电后发量热量大;电感式传感器存在铜损耗、磁滞和涡流损耗等,引发电感发烧。这些发烧都会使传感器产生温度漂移,也叫温漂或零漂,故温度稳固性不行。 2)结构简单、适应性强

从结构上看,电容结构为:两个金属极板,两根电极引线,极板间冲绝缘介质,绝缘介质能够是空气。故结构超级简单,易于制造。

电容式传感器能够在高温、低温、强辐射及强磁场等恶劣环境中工作,故适应能量很强。尤其能够在环境温差大、高压力和高冲击力的环境中,都能正常工作。它能测量高压和低压差,能对带磁工件进行测量。电容式传感器能够尺寸能够做的很小,以便能在有特殊要求的环境中测量。

3)动态响应好

电容式传感器的固有频率很高,故其动态响应时刻很短。其介质损耗小,能够用较高频率给予供电。因此电容式传感器的系统工作频率高。

电容式传感器可用于测量高速转变的参数,比如测量振动、瞬时压力等。 4)可实现非接触测量,具有平均效应

当被测工件不许诺接触式测量时,能够采纳电容式传感器对其进行测量。

当采纳非接触测量时,由于电容极板有必然的面积,是面非接触,故电容式传感器具有平均效应,它的测量是对被测面到极板的平均距离的一个结果。如此,能够减小工件表面粗糙度对测量的阻碍。

2 缺点

1)输出阻抗高,带负载能力差

电容式传感器的容量受到电极几何尺寸等的,不易做大,一样为几十F到几百F。因此,电容式传感器的输出阻抗高,带负载能量差。这种电路易受外接干扰,使电路不稳固,乃至无法正常工作。那个地址和前面讲的电容不易受环境阻碍是没有矛盾的,前面将的电容值C不易受环境阻碍,而那个地址讲的是容抗Xc易受环境阻碍。故不矛盾。

因此,必需对传感器电路采取屏蔽方法,但这会给设计、制造和利用带来诸多不便。

因为电容器的容抗大,故要求传感器绝缘部份的绝缘电阻值极高,一样在几十兆欧以上,不然,绝缘部份就将作为电容的旁路电阻进行分流,阻碍仪器性能。为此,要专门注意传感器周围的温度、湿度和清洁度,这些都会阻碍传感器的绝缘电阻。

假设采纳高频供电,可降低传感器的输出阻抗,可是,高频电路的信号放大、传输都远比低频电路复杂,且寄生电容阻碍对电路阻碍专门大,不易保证电路工作的稳固性。

2)寄生电容阻碍大

电容器上的寄生电容是指,连接电容式传感器和电子线路的引线上存在的引线电容(电缆电容,1-2m导线就可达800pF)、电子线路的杂散电容和传感器内极板与其周围导体组成的电容等。寄生电容较大,而传感器的初始电容量较小,故这大大降低了传感器的灵敏度。寄生电容常常是随机转变的,将使仪器工作很不稳固,阻碍测量精度。

因此,对电线的选择、安装和接法都有严格的要求。比如,能够选用屏蔽性好而自身散布电容小的高频电缆作为引线,引线尽可能地粗而短。

3)输出特性非线性

变极距型电容传感器的输出特性是非线性的,尽管能够采纳差分型电容来改善,但非线性仍然存在而不能排除。

其它类型的电容传感器只有在忽略掉电场边缘效应(极板边缘电场线呈发散状,不均匀)的情形下,输出特性才呈线性。不然,边缘效应所产生的附加电容量将与传感器电容量叠加,使输出特性呈现非线性。

4.2.3 爱惜绝缘材料的绝缘性能

环境温度的转变会使电容式传感器内各零部件的几何尺寸转变,从而使它们的相对位置发生改变;同时,温度转变会使介质的介电常数改变。如此使电容值发生转变,产生温度误差。湿度也会阻碍介质的介电常数。因此,尽可能采纳空气、云母等介电常数的温度系数接近于零的物质作为绝缘介质。而且,超级好的是,湿度可不能阻碍它们的介电常数。温度和湿度还会阻碍绝缘材料的绝缘性能,使绝缘电阻改变。

金属极板应选用温度系数低的材料。铁镍合金温度系数小,但较难加工。能够在陶瓷或石英的表面上喷涂铁镍合金或银,如此的电极能够做得很薄,大大减小边缘效应,而且温度系数很小。

在电容式传感器内,电容极板(简称电极)表面的清洁程度直接阻碍电容的绝缘电阻,因此应维持其表面的清洁。可是,其表面不便常常清洗,故应加以密封,用以防潮和防尘。若是加密封不方便,那么能够在极板表面上镀一层薄的惰性金属,比如铑等,如此去密封极板。铑惰性层可防潮、防尘、防湿和防腐等作用,但铑是稀有金属,镀铑本钱较高。

电极支架的选取要紧考虑机械强度和温度性两方面因素。为固定和支撑电极,那么要求支架应具有必然的机械强度。为提高灵敏度,那么要求支架材料的温度系数要低,和其几何尺寸稳固性要好。

为减小环境对传感器的干扰,那么要求支架的绝缘电阻高、吸潮性低和表面电阻小。能知足这些条件的材料有塑料和有机玻璃,且易于加工;性能更好的材料有石英、云母、人造宝石和陶瓷等,但加工难度大。在环境温度不太高时,可选用聚四氟乙烯作为支架,易于加工,绝缘性又好。

还能够采纳差分式对称结构,来提高灵敏度和减小环境温度转变等带来的误差。

电源的频率可选用50kHz至几兆赫兹,如此能够降低对传感器绝缘部份的绝缘性能要求。 传感器内所有零部件应先清洗,后烘干,再装备。

传感器要密封,以避免外界水分的浸入,而引发电容值的转变或使绝缘性能变差。 传感器外壳的刚性要好,以避免安装时变形。 4.2.3 等效电路

图4.2.1(b)确实是平板电容图(a)从输入端A、B两点看进去的高频等效模型。

图4.2.1 电容式传感器的等效电路

图4.2.1(b)中,L为传输线的线电感,R为传输线路的损耗等效电阻,依照电动力学明白,交流电频率越高,流过导线的电流就向越靠近导线的外表面,这一现象叫趋肤效应。当频率升高时,导线的轴心几乎没有电流流过,电流散布在靠近导线外侧的圆环内,故导线的有效横截面积减小,线电阻增大。频率越高,圆环面积越小,导线的电阻越大。C为传感器电容。CP为寄生电容,它比较小。RP为极板间的等效漏电阻,超级大。

一样情形下RL,能够忽略不计。在实际传感器设计中,尽可能使CP很小,使RP专门大,那么它们也可忽略掉。在频率较低时,L也可忽略掉。

在高频时,电容器就等效为L与C的串联模型。设那么它们的等效电容为Ce,由

11jL (4.2.1) jCejC取得

CeC12LC (4.2.2)

这说明有效电容Ce比C增大了。传感器的灵敏度概念为

ke由(4.2.2)取得dCeCe (4.2.3) ddC221LCCe,于是取得

C1LC22 (4.2.4)

代入(4.2.3)取得

ke其中kC1k (4.2.5) 2222d1LC1LCC。可见,灵敏度是电源频率的函数,因此,当电源高频较高的情形下利用传感器,在d改变电源频率或改换传输线路时,都必需对测量系统从头进行定标。

4.2.4 边缘效应

关于电容式传感器,当极板厚度h与极板间距离δ可比时,两极板边缘处电力线显现散布不均匀的现象,即边缘电场的阻碍就不能忽略了,如图4.2.2所示。

图4.2.2边缘效应的阻碍 图带等位换结构的电容传感器

关于变面积型和变介电常数型电容传感器而言,边缘效应不仅使灵敏度降低,而且还增加非线性。因此应尽可能减小或排除边缘效应。

适当减小极距,使极径(极板尺寸)与极距比增大,能够减小边缘效应的阻碍。可是,若是如此,电容就更易被击穿,还可能会传感器的测量范围。

能够减小极板厚度,使之与极距比很小。将石英、陶瓷等非金属材料蒸涂一薄层金属作为极板,使极板的有效厚度减小,以减小边缘效应。

能够在结构上增设等位环,如图4.2.3所示。把3叫等位环,工作时,使3的电位与极板2的点位相同,但维持电断气缘,且等位环与极板2间隙越小越好。那么,将极板间的边缘效应移到等位环与动极板的边缘,而爱惜环边缘的场强不均匀可不能阻碍电容传感器的电容值计算,从而使定极板边缘处的电力线散布均匀,克服了边缘效应。

4.2.5 寄生电容

电容式传感器由于受结构与尺寸的,一样电容量都很小,10-3~103皮法,属于小功率、高阻抗器件,极易受外界干扰,尤其是电缆寄生电容,比电容传感器的电容大几倍至几十倍,且具有随机性,电缆电容又与传感器电容相并联,严峻阻碍传感器的输出特性,乃至会淹没传感器的有效信号,使传感器无法利用。因此,消灭寄生电容的阻碍,是电容式传感器有效化的关键。

消灭寄生电容的方式包括: 1驱动电缆法

如图4.2.4所示,驱动电缆法事实上是一种等电位屏蔽法。电容传感器与测量电路的前置级之间的引线用双层屏蔽电缆,并接入增益为1的驱动放大器。电容传感器接在放大器的正输入端,放大器的负输入端接地,放大器的输出接在双层屏蔽电缆的内层屏蔽上,由于放大器的增益为1,保证了内层屏蔽与芯线等电位,排除芯线与内层屏蔽间寄生电容的阻碍。

由于电缆的内屏蔽层上有随传感器输出信号转变的电压,因此叫“驱动电缆”。外屏蔽层接地或接仪器地,来避免外接电场的干扰。

而内、外层屏蔽间的电容转变成1驱动放大器的负载。这种方式的难处是,要在很宽的频带上严格实现放大倍数等于1,且输出与输入的相移为零。

图4.2.4 驱动电缆法原理图

2 整体屏蔽法

图4.2.5中,Cx1和Cx2组成差动电容传感器,与平稳电阻R3、R4组成测量电桥,U为电源电压,C3、C4为寄生电容,K是不平稳电桥的指示放大器,C1那么是差动电容传感器公用极板与屏蔽之间的寄生电容。

所谓整体屏蔽法是将整个电桥(包括电源、电缆等)统一屏蔽起来,其关键是正确选取接地址,那个地址选取两平稳电阻R3、R4桥臂中间作为接地址,并与整体屏蔽共地。C1同放大器的输入阻抗并联,可归算到放大器的输入电容中去。寄生电容C3、C4并在桥臂R3、R4上,只阻碍电桥的初始平稳及整体灵敏度,并非妨碍电桥的正确利用。如此,寄生电容对传感器的阻碍大体上被排除。整体屏蔽法是一种较好的方式,但整体结构较复杂。

图4.2.5 整体屏蔽法原理图

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