一种薄膜晶体管的制备方法[发明专利]

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专利名称：一种薄膜晶体管的制备方法专利类型：发明专利发明人：赵淑云,郭海成,王文申请号：CN201110461865.4申请日：20111231公开号：CN103762174A公开日：20140430

摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：1)在准分子激光退火的多晶硅薄膜上沉积低温氧化层和非晶Si层；2)旋涂光刻胶；3)对光刻胶曝光，形成条状图案；4)离子注入；5)剥离光刻胶，蚀刻掉非晶Si和低温氧化层；6)刻蚀步骤5)得到的多晶硅薄膜，形成有源岛；7)用氧等离子除去光刻胶；8)去除自然氧化层，然后用LPCVD法沉积低温氧化物作为栅极绝缘层，再形成栅电极；9)对P型沟道和N型沟道TFT分别掺入硼和磷，作为源极和漏极；10)沉积低温氧化物隔离层并同时激活掺杂物，打开接触孔，形成接触导线并图案化。

申请人：广东中显科技有限公司

地址：528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号

国籍：CN

代理机构：北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙)

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