半导体纳米结构和制造方法及其应用[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体纳米结构和制造方法及其应用专利类型：发明专利

发明人：刘洪刚,刘新宇,吴德馨申请号：CN200910312160.9申请日：20091224公开号：CN102107852A公开日：20110629

摘要：本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

国籍：CN

代理机构：北京市德权律师事务所

代理人：王建国

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文