第2章1-2节：晶体三极管

一．填空题： 1．三极管有三个区即 区、 区、 区，各自引出一个电极，分别称为 极、 极、 极，每个三极管内部有三个PN结，发射区和基区之间的PN结称为 ，集电区和基区之间的PN结称为 。 2．晶体三极管按其内部三个区的半导体类型可分为 型 型；按其工作频率可分为 和 ；按其采用半导体材料可分为 和 ；按其功率可分为 和 ；型号为3CG21是 频 功率型 三极管。 3．三极管的三种联接方式分别是 、 、 接法。 4．三极管的ICEO随温度升高而 ，硅管的ICEO比锗管 ；故硅三极管的 比锗三极管好。大功率管的ICEO常比小功率管的ICEO 。 5．晶体三极管是内电流的分配规律是 ，由于一般情况下， 电流很小，故 电流与 电流近似相等。 6．一般情况下，晶体三极管的β随IC的增大而 ，随温度的升高而而 。 7．共发射极电路中VBE和IB之间的关系称为三极管的 特性，可用 曲线来表示。 8．共发射极电路中VCE和IC之间的关系称为三极管的 特性，可用 曲线来表示。 9．电流放大倍数β是衡量晶体三极管的能力的重要指标，β值太大，则三极管的 差；β值太小，则三极管的 差； 二．判断题： 1．三极管是由两个PN结组成的，所以可用两个二极管构成一个只极管。 （ ） 2．晶体三极管又称为单极型晶体三极管。 （ ） 3．PNP型三极管中，发射区是N型，掺杂浓度大，易于向基区发射电子。（ ） 4．型号为3DD的三极管 是低频大功率NPN型硅三极管。 （ ） 5．三极管的β值会随着工作温度升高而增大，故提高工作温度可以增强三极管的电流放大能力。 （ ） 6．三极管工作于放大区时，可看作是线性的，而在另外两个区，可看作是非线性的。 （ ） 7．三极管无论工作在哪个区都具有放大作用，即IC＝βIB总是成立的。 （ ） 8．三极管要求有足够的放大能力，所以三极管的β值越大越好。 （ ） 三．选择题： 1．测得三极管三个电极电流分别为IB=40μ A，IC=2.36mA，IE=2.40mA ,则该

晶体三极管的交流电流放大系数为 （ ） A．略小于59 B．略大于59 C．恰恰等于59 D．无法计算

2．当三极管的IB由30μA变为A40μA ，IC由1.76mA变为2.46mA ，则该三极管的β为 （ ） A．58 B．59 C．61 D．70 3．晶体三极管的发射结门坎电压为 （ ） A．0.1V B．0.3V C．0.3V D．0.7V 4．当晶体三极管内部两个PN结都反偏时，它的工作状态是（ ）状态 （ ） A．饱和 B．放大 C．截止 D．开关 5．当晶体三极管内部两个PN结都正偏时，它的工作状态是（ ）状态 （ ） A．饱和 B．放大 C．截止 D．开关 6．判断晶体三极管电极时应使用万用表的（ ）挡 （ ） A．电压 B．电流 C．电阻 D．无法确定 7．要使三极管工作在放大区，则须使 （ ） A．发射结正偏，集电结反偏 B．发射结反偏，集电结正偏 C．发射结正偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 8．在三极管的输出特性曲线中，当IB时IC是 （ ） A．0 B．ICM C．ICEO D．ICBO 四．综合题： 1．当NPN型和PNP型三极管处于放大状态时，三极管的各电极电位大小关系如何？ 2．怎样有万用表判定三极管的基极？试说明判断原理。 3．下图中各三极管的工作状态是什么？（NPN型管为硅管。PNP型管为锗管）

0.6V6V-1.8V2.9V11V

2.5V1V-1.5V2.7V6V

2.8V0.8V-2.2V3V5.3V4．根据已知条件计算结果： (a)(b)(c)(d)(e)1）已知某三极管发射极电流IE＝4.1mA，β＝40，求此时三极管的基极电流IB和IC各为多少？ 2）已知某三极管的次序放大系数β＝100，当IB＝10μA时，IC =0.98mA，若将

11 第二章：晶体三极管和场效应管 2 （1） 第二章：晶体三极管和场效应 2（2） IB调到30μA，则IC应为多少？

第2．2节：场效应管

一．填空题：

1．场效应管又称为 极型三极管，它是用 控制 的，所以是 控制型器件。

2．绝缘栅型场效应管简称为 管，按导电沟道类型划分，可分为 型和 型两种。

3．结型场效应管的转移特性曲线是在一定的 下， 和 之间的关系。

4．结型场效应管的输出特性曲线是在一定的 下， 和 之间的关系；它可分为三个区，即 区、 区、 区。 大功率管的ICEO常比小功率管的ICEO 。

5．跨导gm是指场效应管工作在 时， 变化量与 变化量之比，它的单位是 ，它的表达式为 ，gm越大，则VGS对IG的控制 。

6．当MOS管工作在饷区时，会在绝缘层和P型衬底交界面附近积累较多的 ，形成一个 薄层，称为 ，作为漏极D和源极S之间的 。 二．判断题：

1．场效应管又称为单极型晶体三极管。 （ ） 2．结型场效应管由于结构对称，在应用时不区分源极和漏极。 （ ） 3．场效应管主要用于集成电路，在分立元件电路中应用较少。 （ ） 4．场效应管输入电阻远远大于普通晶体三极管，其温度性能较差。 （ ） 5．晶体三极管是电压控制器件，场效应管是电流控制器件 （ ） 6．场效应管的跨导越小，则栅源电压对漏极电流的控制作用越强。 （ ） 三．选择题：

1．下列说法正确的是 （ ） A．三极管是电流控制电流 B．三极管是电流控制电压 C．场效应管是电压控制电流 D．场效应管是电压控制 2．为了使N沟道结型场效应管工作于饷区应使VGS ID (mA) （ ） A．＞0 B．＜0 C．＝0 D．＜VP

3．为了使增强型NMOS管工作于饱和区使VGS 5 （ ） A．＞0 B．＞VT C．＜VT D．＜0

4．场效应管的畭电阻比晶体三极管的畭电阻 （ ） A．高很多倍 B．高一些 VPVGS (V)

-40C．低很多 D．几乎相等

5．某场效应管的转移特性曲线如图所示，则该管为（ ）场效应管 （ ） A．P沟道增强型 B．N沟道结型 C．N沟道增强型 D．N沟道耗尽型 6．上图中，场效应管的VP和IDSS分别为 （ ） A．0V、5mA B．0V、0mA C．4V、5mA D．－4V、5mA 7．用于放大时，场效应管工作在鹅曲线的（ ）区 （ ） A．夹断 B．可变电阻 C．饱和（恒流） D．击穿 四．综合题：

1．请画出各种类型场效应管的符号，并根据N沟道增强型MOS管的内部结构示意图，分析其导电沟道形成的原理。

2．比较普通三极管与场效应管的异同。