专利名称：磁器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：李学善,渡嘉敷健,金明哲,权亨峻,李相旻,李佑澈,郑
明勋
申请号：CN201210523694.8申请日：20121207公开号：CN103151456A公开日：20130612
摘要：本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：张波
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