专利名称：制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激
光器
专利类型：发明专利发明人：王璐,王珈,吴德馨申请号：CN201810587771.3申请日：20180608公开号：CN108736316A公开日：20181102
摘要：本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延生长第二DBR；在第二DBR上外延生长复合接触层；在复合接触层上淀积绝缘介质掩模层；在绝缘介质掩模层上光刻台面图案并刻蚀形成台面；淀积绝缘介质掩模层并刻蚀，形成侧墙；采用各向同性进行部分侧向腐蚀，形成通光孔；应力消除以及平坦化处理；在台面上表面制作第一电极接触层；对衬底背面进行减薄处理；在减薄后的背面制作第二电极接触层。如此，可提升VCSEL的合格率，降低生产VCSEL的成本。
申请人：北京嘉圣光通科技有限公司
地址：100000 北京市海淀区中关村东路1号院8号楼CG05-158号
国籍：CN
代理机构：北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：戈丰
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容