专利名称：具有金属栅极的半导体元件的制作方法专利类型：发明专利
发明人：傅思逸,江文泰,陈映璁,蔡世鸿,林建廷,许启茂,林进
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申请号：CN201110451943.2申请日：20111229公开号：CN103187367A公开日：20130703
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，其首先提供一基底，该基底表面形成有一第一栅极沟槽与一第二栅极沟槽。在该基底上依序形成一高介电常数栅极介电层与一复合金属层，随后于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层，而该复合金属层暴露于该第二栅极沟槽内。之后进行一第一回拉步骤，以移除该第一栅极沟槽内的部分该第一功函数金属层。第一回拉步骤之后，于该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽内形成一第二功函数金属层。最后进行一第二回拉步骤，用以移除该第一栅极沟槽内与该第二栅极沟槽内的部分该第二功函数金属层。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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