Q62703-Q3340资料

Mini TOPLED® RG

LS M770, LO M770, LY M770

Besondere Merkmale

qGehäusefarbe: weiß

qals optischer Indikator einsetzbar

qzur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplungqfür alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignetqgegurtet (12-mm-Filmgurt)

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

qcolor of package: whiteqfor use as optical indicator

qfor backlighting, optical coupling into light pipes and lensesqsuitable for all SMT assembly and soldering methodsqavailable taped on reel (12 mm tape)q

load dump resistant acc. to DIN 40839

Semiconductor Group1LG M770, LP M770

62960LPV11.96

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LS M770, LO M770, LY M770

LG M770, LP M770

TypEmissions-farbeColor ofEmissionTypeFarbe derLichtaustritts-flächeColor of theLight EmittingAreacolorless clearLichtstärkeLichtstromBestellnummerLuminousIntensityIF = 10 mAIV (mcd)2.5 ...12.54.0 ...8.06.3 ...12.54.0 ...32.02.5 ...12.54.0 ...8.06.3 ...12.54.0 ...32.02.5 ...12.54.0 ...8.06.3 ...12.54.0 ...32.02.5 ...12.54.0 ...8.06.3 ...12.54.0 ...32.01.0 ...8.01.6 ...3.22.5 ...5.01.6 ...12.5LuminousFluxIF = 10 mAΦV (mlm)-18 (typ.)30 (typ.)--18 (typ.)30 (typ.)--18 (typ.)30 (typ.)--18 (typ.)30 (typ.)-- 8 (typ.)12 (typ.)-Ordering CodeLS M770-HKLS M770-JLS M770-KLS M770-JMLO M770-HKLO M770-JLO M770-KLO M770-JMLY M770-HKLY M770-JLY M770-KLY M770-JMLG M770-HKLG M770-JLG M770-KLG M770-JMLP M770-FJLP M770-GLP M770-HLP M770-GKsuper-redQ62703-Q3326Q62703-Q3327Q62703-Q3328Q62703-Q3329Q62703-Q3330Q62703-Q3331Q62703-Q3332Q62703-Q3333Q62703-Q3334Q62703-Q3336Q62703-Q3335Q62703-Q3337Q62703-Q3338Q62703-Q3339Q62703-Q3340Q62703-Q3341Q62703-Q3342Q62703-Q3343Q62703-Q3344Q62703-Q3345orangecolorless clearyellowcolorless cleargreencolorless clearpure greencolorless clearStreuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max /IV min≤2.0.Luminous intensity ratio in one packaging unitIV max /IV min≤2.0.

Semiconductor Group2

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LS M770, LO M770, LY M770

LG M770, LP M770

Grenzwerte

Maximum RatingsBezeichnungParameterBetriebstemperaturOperating temperature rangeLagertemperaturStorage temperature rangeSperrschichttemperaturJunction temperatureDurchlaßstromForward currentStoßstromSurge currentt≤10 µs,D = 0.005SperrspanungReverse voltageVerlustleistungPower dissipationWärmewiderstandThermal resistanceSperrschicht / UmgebungJunction / airMontage auf PC-board*) (Padgröße ≥16 mm2)mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)*)PC-board: FR4

SymbolSymbolWerteValues– 55 ... + 100– 55 ... + 100 + 100300.5EinheitUnit˚C˚C˚CmAATopTstgTjIFIFMVRPtotRth JA5100530VmWK/WSemiconductor Group3

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Kennwerte(TA = 25 ˚C)CharacteristicsBezeichnungParameterWellenlänge des emittierten LichtesWavelength at peak emissionIF= 10 mADominantwellenlängeDominant wavelengthIF= 10 mASpektrale Bandbreite bei 50 %Irel maxSpectral bandwidth at 50 %Irel maxIF= 10 mAAbstrahlwinkel bei 50 %Iv (Vollwinkel)Viewing angle at 50 %IvDurchlaßspannungForward voltageIF= 10 mASperrstromReverse currentVR= 5 VKapazitätCapacitanceVR= 0 V, f = 1 MHzSchaltzeiten:Switching times:IV from 10 % to 90 %IV from 90 % to 10 %IF= 100 mA, tp = 10µs, RL= 50Ω(typ.)(max.)(typ.)(max.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)SymbolSymbolLSLO610WerteValuesLY586LG565LP557nm635EinheitUnitλpeakλdom628605590570560nm∆λ4540452522nm2ϕ1202.02.61202.02.61202.02.61202.02.61202.02.6Graddeg.VVVFVFIRIRC00.010.010.010.010.01µA1010101010µA128101515pF(typ.)(typ.)trtf300150300150300150450200450200nsnsSemiconductor Group4

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Relative spektrale EmissionIrel=f (λ),TA=25 ˚C,IF= 10 mARelative spectral emission

V(λ) =spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

AbstrahlcharakteristikIrel =f (ϕ)Radiation characteristic

Semiconductor Group5

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DurchlaßstromIF =f (VF)Forward currentTA = 25 ˚CZulässige ImpulsbelastbarkeitIF =f (tp)Permissible pulse handling capabilityDuty cycleD = parameter, TA = 25 ˚CSemiconductor Group LS M770, LO M770, LY M770

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Relative LichtstärkeIV/IV(10 mA) =f (IF)Relative luminous intensityTA = 25 ˚C

Maximal zulässiger DurchlaßstromMax. permissible forward currentIF =f (TA)

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Wellenlänge der Strahlungλpeak=f (TA)Wavelength at peak emissionIF = 10 mADurchlaßspannungVF =f (TA)Forward voltageIF = 10 mASemiconductor Group LS M770, LO M770, LY M770

LG M770, LP M770

Dominantwellenlänge λdom=f (TA)Dominant wavelengthIF = 10 mA

Relative LichtstärkeIV/IV(25 ˚C ) =f (TA)Relative luminous intensityIF = 10 mA

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LS M770, LO M770, LY M770

LG M770, LP M770

MaßzeichnungPackage Outlines(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung:abgeschrägte EckeCathode mark:bevelled edge

Semiconductor Group8

GPL06926