专利名称：一种沟槽型MOS器件的结构、制作工艺以及电子
装置
专利类型：发明专利发明人：夏华忠,李健
申请号：CN201911411419.5申请日：20191231公开号：CN111244177A公开日：20200605
摘要：本发明提供了一种沟槽型MOS器件的结构、制作工艺以及电子装置，其可以对沟槽栅起到保护作用，避免沟槽栅被击穿，同时能承受短路的时间较长，开关损耗小，沟槽型MOS器件的结构包括衬底层和位于衬底层上方的外延层，衬底层的下方为漏极区层，外延层上端设置有P‑阱区层，P‑阱区层上设置有N+源极区层、源极接触P+区层，N+源极区上方设置有绝缘介质层，绝缘介质层、N+源极区层、源极接触P+区层上方设置有源级金属区层，还包括穿过N+源极区和P‑阱区层、向下延伸到外延层中的沟槽，沟槽内设置有填充半导体，位于沟槽底部的外延层中设置有P+区层。
申请人：江苏东海半导体科技有限公司
地址：214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
国籍：CN
代理机构：合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘跃
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