专利名称：一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作
方法
专利类型：发明专利发明人：王凡
申请号：CN201810783201.1申请日：20180717公开号：CN110729286A公开日：20200124
摘要：本发明提供一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、栅极结构、N型源区、P型基材层、N型掺杂区、介质层及源区电极。介质层中形成有源区接触窗口，源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明的源区接触窗口仅显露N型源区的中部区域，将源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。同时，本发明可有效提高静电保护结构的工艺效率，降低制作成本。
申请人：上海宝芯源功率半导体有限公司
地址：201203 上海市浦东新区浦东盛夏路560号219室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：罗泳文
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