压力传感器[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：压力传感器专利类型：发明专利

发明人：濑户祐希,小笠原里奈申请号：CN201680078792.1申请日：20161216公开号：CN108463704A公开日：20180828

摘要：本发明所涉及的压力传感器(100)的特征在于，具有：隔膜(3)；形成有构成应变计的多个电阻(R1～R4)的、俯视时正方形的半导体芯片(1)；在一端与隔膜的第2主面(3B)的区域接合，该区域是指当对隔膜的第1主面(1A)施加压力时发生变形的区域，在另一端分别与半导体芯片的四角连接，并垂直设置于第2主面的四个第1结构体(2a～2d)；以及在一端在俯视时与第2主面中的隔膜的中心(30)接合，在另一端在俯视时与半导体芯片的中心(10)接合，并且垂直设置于第2主面的第2结构体(2e)。

申请人：阿自倍尔株式会社

地址：日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号

国籍：JP

代理机构：上海华诚知识产权代理有限公司

代理人：肖华

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