专利名称：静电放电保护结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：甘正浩
申请号：CN201310224057.5申请日：20130605公开号：CN104218028A公开日：20141217
摘要：一种静电放电保护结构及其形成方法，所述静电放电保护结构包括：半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，且所述隧穿介质层内离散分布有金属材料。在未进行静电放电时，利用隧穿介质层使得第一电极和第二电极电学隔离；当静电放电时，由于静电电压很高，使得隧穿介质层内离散分布的金属材料之间发生隧穿效应，第一电极和第二电极导通，利用所述硅通孔结构进行静电放电，可以提高芯片的面积利用率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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