专利名称：钽溅射靶及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：仙田真一郎,永津光太郎申请号：CN201480006030.1申请日：20140228公开号：CN104937133A公开日：20150923
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率为70％以下、且(222)面的取向率为10％以上，并且，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。通过控制靶的晶体取向，能够加快溅射速率，由此能够在短时间内形成需要的膜厚，并且能够提高生产能力。此外，通过控制靶的溅射面中的晶粒尺寸，具有能够抑制溅射时的异常放电的效果。
申请人：吉坤日矿日石金属株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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