磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510614892.9 （22）申请日 2015.09.24

（71）申请人 中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址 210016 江苏省南京市中山东路524号

（10）申请公布号 CN105225947A

（43）申请公布日 2016.01.06

（72）发明人 牛斌;王元;程伟;常龙;谢俊领

（74）专利代理机构 南京君陶专利商标代理有限公司

代理人 沈根水

（51）Int.CI

H01L21/331; H01L29/737;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法

（57）摘要

本发明为磷化铟异质结晶体管发射区材料

干湿法结合刻蚀制作方法，是一种磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作方法：使用干法刻蚀侧蚀量较大的金属制作下层发射极金属薄膜；使用干法刻蚀侧蚀量较小的金属制作上层发射极金属薄膜；光刻形成发射极条形光刻胶掩膜；干法刻蚀上下两层发射极金属；去除条形光刻胶掩膜，

采用湿法腐蚀去除发射区外延材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作；优点：利用上下两层发射极金属在干法刻蚀中的侧蚀量差异，为自对准工艺提供发射极与基极之间的电隔离间隙，可减小自对准工艺对湿法腐蚀发射区材料的侧蚀量需求，从而提高磷化铟异质结晶体管发射极成品率与可靠性。

法律状态

法律状态公告日2016-01-06 2016-01-06 2016-02-03 2016-02-03 2018-12-18

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

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公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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