整流器设备[发明专利]

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专利名称：整流器设备专利类型：发明专利发明人：A·皮杜蒂,D·加德勒申请号：CN2018106820.0申请日：20180622公开号：CN109119457A公开日：20190101

摘要：本文描述了一种整流器设备。根据一个示例性实施例，整流器设备包括半导体衬底和至少一个阱区，半导体衬底掺杂有第一掺杂类型的掺杂物，至少一个阱区布置在半导体衬底中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂物。因此，至少一个阱区和周围的半导体衬底形成pn结。整流器设备进一步包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子通过第一MOS晶体管的负载电流路径和并联连接到负载电流路径的二极管而连接。交变输入电压可操作地施加在阳极端子与阴极端子之间。整流器设备进一步包括控制电路和偏置电路。控制电路被配置为在导通时间段内导通第一MOS晶体管，在导通时间段期间二极管被正向偏置。第一MOS晶体管和二极管集成在半导体衬底中，并且控制电路至少部分地布置在至少一个阱区中。偏置电路被配置为生成偏置电压，偏置电压施加到至少一个阱区以使得pn结被反向偏置。

申请人：英飞凌科技股份有限公司

地址：德国诺伊比贝尔格

国籍：DE

代理机构：北京市金杜律师事务所

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