专利名称：沟槽型MOS晶体管的制造方法专利类型：发明专利发明人：张朝阳,姜宁,李建文申请号：CN200610030348.0申请日：20060824公开号：CN101131933A公开日：20080227
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，旨在降低栅极和漏极间的电容，提高晶体管的开关速率。该方法包括以下步骤：通过干法刻蚀形成深沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，再进行一层栅极氧化膜的生长；在沟槽内进行栅极多晶硅的生长及回刻。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：顾继光
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