专利名称：用于减少寄生电阻的标准单元架构专利类型：发明专利
发明人：陈向东,H·B·林,S·萨哈,V·宝娜帕里申请号：CN201780037498.0申请日：20170609公开号：CN109328396A公开日：20190212
摘要：一种MOS IC(300)包括在第一标准单元(302a)中的第一接触互连(330)，第一接触互连(330)以第一方向延伸并且接触第一MOS晶体管源极(310)和电压源。此外，MOS IC包括沿着第一边界(344)以第一标准单元和第二标准单元(302b)的第一方向延伸的第一双扩散中断。MOS IC还包括在第一双扩散中断的一部分上延伸的第二接触互连(360)。在一方面，第二接触互连在第一标准单元和第二标准单元两者内，并且耦合到电压源。另外，MOS IC包括以与第一方向正交的第二方向延伸并且将第一接触互连和第二接触互连耦合在一起的第三接触互连。
申请人：高通股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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